Beli NXP USA Inc. PHT2NQ10T,135 MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

PHT2NQ10T,135

MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223

Nomor Bagian

PHT2NQ10T,135

Pabrikan/Merek

NXP USA Inc.

Seri

TrenchMOS™

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-261-4, TO-261AA

Paket Perangkat Pemasok

SOT-223

Disipasi Daya (Maks)

6.25W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

2.5A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

430 mOhm @ 1.75A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 1mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

5.1nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

160pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 26023 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

PHT2010E10R0DGTB

RES SMD 10 OHM 0.5% 1/5W 2010