APTM60H23FT1G
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Nomor Bagian
APTM60H23FT1G
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Bulk
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Chassis Mount
Paket / Kasus
SP1
Kekuatan - Maks
208W
Paket Perangkat Pemasok
SP1
Tipe FET
4 N-Channel (H-Bridge)
Fitur FET
Standard
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
20A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
276 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
165nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
5316pF @ 25V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 32043 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari APTM60H23FT1G
APTM60H23FT1G Komponen elektronik
APTM60H23FT1G Penjualan
APTM60H23FT1G Pemasok
APTM60H23FT1G Distributor
APTM60H23FT1G Tabel data
APTM60H23FT1G Foto
APTM60H23FT1G Harga
APTM60H23FT1G Menawarkan
APTM60H23FT1G Harga terendah
APTM60H23FT1G Mencari
APTM60H23FT1G Pembelian
APTM60H23FT1G Kepingan