Beli Microsemi Corporation APTM120DA30CT1G MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

APTM120DA30CT1G

MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Nomor Bagian

APTM120DA30CT1G

Pabrikan/Merek

Microsemi Corporation

Seri

POWER MOS 8™

Status Bagian

Active

Kemasan

Bulk

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Chassis Mount

Paket / Kasus

SP1

Paket Perangkat Pemasok

SP1

Disipasi Daya (Maks)

657W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

1200V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

31A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

5V @ 2.5mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

560nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

14560pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 38047 PCS

Kontak informasi