Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
APTM10DHM09T3G
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
Nomor Bagian
APTM10DHM09T3G
Pabrikan/Merek
Seri
POWER MOS V®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Bulk
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Chassis Mount
Paket / Kasus
SP3
Kekuatan - Maks
390W
Paket Perangkat Pemasok
SP3
Tipe FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fitur FET
Standard
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
139A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 2.5mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
350nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
9875pF @ 25V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 24204 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari APTM10DHM09T3G
APTM10DHM09T3G Komponen elektronik
APTM10DHM09T3G Penjualan
APTM10DHM09T3G Pemasok
APTM10DHM09T3G Distributor
APTM10DHM09T3G Tabel data
APTM10DHM09T3G Foto
APTM10DHM09T3G Harga
APTM10DHM09T3G Menawarkan
APTM10DHM09T3G Harga terendah
APTM10DHM09T3G Mencari
APTM10DHM09T3G Pembelian
APTM10DHM09T3G Kepingan