APTM100DA18T1G
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Nomor Bagian
APTM100DA18T1G
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Chassis Mount
Paket / Kasus
SP1
Paket Perangkat Pemasok
SP1
Disipasi Daya (Maks)
657W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
1000V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 2.5mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
570nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
14800pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 42597 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari APTM100DA18T1G
APTM100DA18T1G Komponen elektronik
APTM100DA18T1G Penjualan
APTM100DA18T1G Pemasok
APTM100DA18T1G Distributor
APTM100DA18T1G Tabel data
APTM100DA18T1G Foto
APTM100DA18T1G Harga
APTM100DA18T1G Menawarkan
APTM100DA18T1G Harga terendah
APTM100DA18T1G Mencari
APTM100DA18T1G Pembelian
APTM100DA18T1G Kepingan