Beli Microsemi Corporation APT31M100B2 MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

APT31M100B2

MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

Nomor Bagian

APT31M100B2

Pabrikan/Merek

Microsemi Corporation

Seri

POWER MOS 8™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-247-3 Variant

Paket Perangkat Pemasok

T-MAX™ [B2]

Disipasi Daya (Maks)

1040W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

1000V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

32A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

5V @ 2.5mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

260nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

8500pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 5854 PCS

Kontak informasi