Beli IXYS-RF IXFH6N100F MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IXFH6N100F

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

Nomor Bagian

IXFH6N100F

Pabrikan/Merek

IXYS-RF

Seri

HiPerRF™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-247-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-247 (IXFH)

Disipasi Daya (Maks)

180W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

1000V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1.9 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

54nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1770pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 46119 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

IXFH100N25P

MOSFET N-CH 250V 100A TO-247