Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXTY1N100P

IXTY1N100P

MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
Nomor Bagian
IXTY1N100P
Pabrikan/Merek
Seri
Polar™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok
TO-252, (D-Pak)
Disipasi Daya (Maks)
50W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
1000V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
15 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 50µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
331pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 24115 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXTY1N100P
IXTY1N100P Komponen elektronik
IXTY1N100P Penjualan
IXTY1N100P Pemasok
IXTY1N100P Distributor
IXTY1N100P Tabel data
IXTY1N100P Foto
IXTY1N100P Harga
IXTY1N100P Menawarkan
IXTY1N100P Harga terendah
IXTY1N100P Mencari
IXTY1N100P Pembelian
IXTY1N100P Kepingan