IXTP60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
Nomor Bagian
IXTP60N10T
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchMV™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Disipasi Daya (Maks)
176W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 50µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
49nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2650pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 43581 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IXTP60N10T
IXTP60N10T Komponen elektronik
IXTP60N10T Penjualan
IXTP60N10T Pemasok
IXTP60N10T Distributor
IXTP60N10T Tabel data
IXTP60N10T Foto
IXTP60N10T Harga
IXTP60N10T Menawarkan
IXTP60N10T Harga terendah
IXTP60N10T Mencari
IXTP60N10T Pembelian
IXTP60N10T Kepingan