IXTP3N110
MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
Nomor Bagian
IXTP3N110
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Disipasi Daya (Maks)
150W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
1100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
42nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1350pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 26382 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IXTP3N110
IXTP3N110 Komponen elektronik
IXTP3N110 Penjualan
IXTP3N110 Pemasok
IXTP3N110 Distributor
IXTP3N110 Tabel data
IXTP3N110 Foto
IXTP3N110 Harga
IXTP3N110 Menawarkan
IXTP3N110 Harga terendah
IXTP3N110 Mencari
IXTP3N110 Pembelian
IXTP3N110 Kepingan