Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXTP3N100P

IXTP3N100P

MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220
Nomor Bagian
IXTP3N100P
Pabrikan/Merek
Seri
PolarVHV™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Disipasi Daya (Maks)
125W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
1000V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
39nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1100pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 26589 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXTP3N100P
IXTP3N100P Komponen elektronik
IXTP3N100P Penjualan
IXTP3N100P Pemasok
IXTP3N100P Distributor
IXTP3N100P Tabel data
IXTP3N100P Foto
IXTP3N100P Harga
IXTP3N100P Menawarkan
IXTP3N100P Harga terendah
IXTP3N100P Mencari
IXTP3N100P Pembelian
IXTP3N100P Kepingan