Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXTP1R6N100D2

IXTP1R6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Nomor Bagian
IXTP1R6N100D2
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Disipasi Daya (Maks)
100W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
Depletion Mode
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
1000V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Maks) @ Id
-
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
27nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
645pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 16707 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2 Komponen elektronik
IXTP1R6N100D2 Penjualan
IXTP1R6N100D2 Pemasok
IXTP1R6N100D2 Distributor
IXTP1R6N100D2 Tabel data
IXTP1R6N100D2 Foto
IXTP1R6N100D2 Harga
IXTP1R6N100D2 Menawarkan
IXTP1R6N100D2 Harga terendah
IXTP1R6N100D2 Mencari
IXTP1R6N100D2 Pembelian
IXTP1R6N100D2 Kepingan