IXTP1N120P
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220
Nomor Bagian
IXTP1N120P
Pabrikan/Merek
Seri
PolarVHV™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Disipasi Daya (Maks)
63W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
1200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 50µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
17.6nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
550pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 28625 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IXTP1N120P
IXTP1N120P Komponen elektronik
IXTP1N120P Penjualan
IXTP1N120P Pemasok
IXTP1N120P Distributor
IXTP1N120P Tabel data
IXTP1N120P Foto
IXTP1N120P Harga
IXTP1N120P Menawarkan
IXTP1N120P Harga terendah
IXTP1N120P Mencari
IXTP1N120P Pembelian
IXTP1N120P Kepingan