IXTP12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Nomor Bagian
IXTP12N65X2
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220
Disipasi Daya (Maks)
180W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
17nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1100pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 6136 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IXTP12N65X2
IXTP12N65X2 Komponen elektronik
IXTP12N65X2 Penjualan
IXTP12N65X2 Pemasok
IXTP12N65X2 Distributor
IXTP12N65X2 Tabel data
IXTP12N65X2 Foto
IXTP12N65X2 Harga
IXTP12N65X2 Menawarkan
IXTP12N65X2 Harga terendah
IXTP12N65X2 Mencari
IXTP12N65X2 Pembelian
IXTP12N65X2 Kepingan