Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXTM50N20

IXTM50N20

POWER MOSFET TO-3
Nomor Bagian
IXTM50N20
Pabrikan/Merek
Seri
GigaMOS™
Status Bagian
Last Time Buy
Kemasan
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-204AE
Paket Perangkat Pemasok
TO-204AE
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
220nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
4600pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 22377 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXTM50N20
IXTM50N20 Komponen elektronik
IXTM50N20 Penjualan
IXTM50N20 Pemasok
IXTM50N20 Distributor
IXTM50N20 Tabel data
IXTM50N20 Foto
IXTM50N20 Harga
IXTM50N20 Menawarkan
IXTM50N20 Harga terendah
IXTM50N20 Mencari
IXTM50N20 Pembelian
IXTM50N20 Kepingan