Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXTM35N30
POWER MOSFET TO-3
Nomor Bagian
IXTM35N30
Pabrikan/Merek
Seri
GigaMOS™
Status Bagian
Last Time Buy
Kemasan
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-204AE
Paket Perangkat Pemasok
TO-204AE
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
300V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
220nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
4600pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 15112 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IXTM35N30
IXTM35N30 Komponen elektronik
IXTM35N30 Penjualan
IXTM35N30 Pemasok
IXTM35N30 Distributor
IXTM35N30 Tabel data
IXTM35N30 Foto
IXTM35N30 Harga
IXTM35N30 Menawarkan
IXTM35N30 Harga terendah
IXTM35N30 Mencari
IXTM35N30 Pembelian
IXTM35N30 Kepingan