Beli IXYS IXTH3N200P3HV MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IXTH3N200P3HV

MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247

Nomor Bagian

IXTH3N200P3HV

Pabrikan/Merek

IXYS

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-247-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-247

Disipasi Daya (Maks)

520W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

2000V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

70nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1860pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 34245 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

IXTH02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247