Beli IXYS IXTA80N12T2 MOSFET N-CH 120V 80A TO-263

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IXTA80N12T2

MOSFET N-CH 120V 80A TO-263

Nomor Bagian

IXTA80N12T2

Pabrikan/Merek

IXYS

Seri

TrenchT2™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

TO-263 (IXTA)

Disipasi Daya (Maks)

325W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

120V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

80nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

4740pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 32056 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

IXTA02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263