Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXTA60N10T

IXTA60N10T

MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
Nomor Bagian
IXTA60N10T
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchMV™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (IXTA)
Disipasi Daya (Maks)
176W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 50µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
49nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2650pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 36322 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXTA60N10T
IXTA60N10T Komponen elektronik
IXTA60N10T Penjualan
IXTA60N10T Pemasok
IXTA60N10T Distributor
IXTA60N10T Tabel data
IXTA60N10T Foto
IXTA60N10T Harga
IXTA60N10T Menawarkan
IXTA60N10T Harga terendah
IXTA60N10T Mencari
IXTA60N10T Pembelian
IXTA60N10T Kepingan