Beli IXYS IXTA3N100P MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IXTA3N100P

MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263

Nomor Bagian

IXTA3N100P

Pabrikan/Merek

IXYS

Seri

PolarVHV™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

TO-263 (IXTA)

Disipasi Daya (Maks)

125W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

1000V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

4.8 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

39nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1100pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 42703 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

IXTA02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263