Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXTA2N100P

IXTA2N100P

MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Nomor Bagian
IXTA2N100P
Pabrikan/Merek
Seri
Polar™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (IXTA)
Disipasi Daya (Maks)
86W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
1000V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 100µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
24.3nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
655pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 40536 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXTA2N100P
IXTA2N100P Komponen elektronik
IXTA2N100P Penjualan
IXTA2N100P Pemasok
IXTA2N100P Distributor
IXTA2N100P Tabel data
IXTA2N100P Foto
IXTA2N100P Harga
IXTA2N100P Menawarkan
IXTA2N100P Harga terendah
IXTA2N100P Mencari
IXTA2N100P Pembelian
IXTA2N100P Kepingan