IXTA1R6N100D2HV
MOSFET N-CH
Nomor Bagian
IXTA1R6N100D2HV
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
TO-263HV
Disipasi Daya (Maks)
100W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
Depletion Mode
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
1000V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
1.6A (Tj)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 100µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
27nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
645pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
0V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 8784 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IXTA1R6N100D2HV
IXTA1R6N100D2HV Komponen elektronik
IXTA1R6N100D2HV Penjualan
IXTA1R6N100D2HV Pemasok
IXTA1R6N100D2HV Distributor
IXTA1R6N100D2HV Tabel data
IXTA1R6N100D2HV Foto
IXTA1R6N100D2HV Harga
IXTA1R6N100D2HV Menawarkan
IXTA1R6N100D2HV Harga terendah
IXTA1R6N100D2HV Mencari
IXTA1R6N100D2HV Pembelian
IXTA1R6N100D2HV Kepingan