Beli IXYS IXTA1R4N100P MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IXTA1R4N100P

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263

Nomor Bagian

IXTA1R4N100P

Pabrikan/Merek

IXYS

Seri

Polar™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

TO-263 (IXTA)

Disipasi Daya (Maks)

63W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

1000V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

1.4A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

11 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.5V @ 50µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

17.8nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

450pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 28224 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

IXTA02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263