Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXTA1N80

IXTA1N80

MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263
Nomor Bagian
IXTA1N80
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (IXTA)
Disipasi Daya (Maks)
40W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
800V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
750mA (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 25µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
220pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 19878 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXTA1N80
IXTA1N80 Komponen elektronik
IXTA1N80 Penjualan
IXTA1N80 Pemasok
IXTA1N80 Distributor
IXTA1N80 Tabel data
IXTA1N80 Foto
IXTA1N80 Harga
IXTA1N80 Menawarkan
IXTA1N80 Harga terendah
IXTA1N80 Mencari
IXTA1N80 Pembelian
IXTA1N80 Kepingan