Beli IXYS IXTA120P065T MOSFET P-CH 65V 120A TO-263

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IXTA120P065T

MOSFET P-CH 65V 120A TO-263

Nomor Bagian

IXTA120P065T

Pabrikan/Merek

IXYS

Seri

TrenchP™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

TO-263 (IXTA)

Disipasi Daya (Maks)

298W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

65V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

185nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

13200pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±15V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 34544 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

IXTA02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263