Beli IXYS IXFX360N10T MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IXFX360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247

Nomor Bagian

IXFX360N10T

Pabrikan/Merek

IXYS

Seri

GigaMOS™ HiPerFET™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-247-3

Paket Perangkat Pemasok

PLUS247™-3

Disipasi Daya (Maks)

1250W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

360A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

2.9 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

5V @ 3mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

525nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

33000pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 47954 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

IXFX100N25

MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247