IXFX32N80P
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
Nomor Bagian
IXFX32N80P
Pabrikan/Merek
Seri
HiPerFET™, PolarHT™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-247-3
Paket Perangkat Pemasok
PLUS247™-3
Disipasi Daya (Maks)
830W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
800V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 8mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
150nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
8800pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 9017 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IXFX32N80P
IXFX32N80P Komponen elektronik
IXFX32N80P Penjualan
IXFX32N80P Pemasok
IXFX32N80P Distributor
IXFX32N80P Tabel data
IXFX32N80P Foto
IXFX32N80P Harga
IXFX32N80P Menawarkan
IXFX32N80P Harga terendah
IXFX32N80P Mencari
IXFX32N80P Pembelian
IXFX32N80P Kepingan