Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXFX210N17T

IXFX210N17T

MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247
Nomor Bagian
IXFX210N17T
Pabrikan/Merek
Seri
GigaMOS™
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-247-3
Paket Perangkat Pemasok
PLUS247™-3
Disipasi Daya (Maks)
1150W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
170V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 4mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
285nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
18800pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 15314 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXFX210N17T
IXFX210N17T Komponen elektronik
IXFX210N17T Penjualan
IXFX210N17T Pemasok
IXFX210N17T Distributor
IXFX210N17T Tabel data
IXFX210N17T Foto
IXFX210N17T Harga
IXFX210N17T Menawarkan
IXFX210N17T Harga terendah
IXFX210N17T Mencari
IXFX210N17T Pembelian
IXFX210N17T Kepingan