IXFT21N50Q
MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
Nomor Bagian
IXFT21N50Q
Pabrikan/Merek
Seri
HiPerFET™
Status Bagian
Last Time Buy
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paket Perangkat Pemasok
TO-268
Disipasi Daya (Maks)
280W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
500V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 4mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
84nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
3000pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 40929 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IXFT21N50Q
IXFT21N50Q Komponen elektronik
IXFT21N50Q Penjualan
IXFT21N50Q Pemasok
IXFT21N50Q Distributor
IXFT21N50Q Tabel data
IXFT21N50Q Foto
IXFT21N50Q Harga
IXFT21N50Q Menawarkan
IXFT21N50Q Harga terendah
IXFT21N50Q Mencari
IXFT21N50Q Pembelian
IXFT21N50Q Kepingan