IXFT17N80Q
MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3)
Nomor Bagian
IXFT17N80Q
Pabrikan/Merek
Seri
HiPerFET™
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paket Perangkat Pemasok
TO-268
Disipasi Daya (Maks)
400W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
800V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 4mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
95nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
3600pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 48764 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IXFT17N80Q
IXFT17N80Q Komponen elektronik
IXFT17N80Q Penjualan
IXFT17N80Q Pemasok
IXFT17N80Q Distributor
IXFT17N80Q Tabel data
IXFT17N80Q Foto
IXFT17N80Q Harga
IXFT17N80Q Menawarkan
IXFT17N80Q Harga terendah
IXFT17N80Q Mencari
IXFT17N80Q Pembelian
IXFT17N80Q Kepingan