Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXFQ50N50P3

IXFQ50N50P3

MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
Nomor Bagian
IXFQ50N50P3
Pabrikan/Merek
Seri
HiPerFET™, Polar3™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P
Disipasi Daya (Maks)
960W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
500V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 4mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
85nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
4335pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 30553 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXFQ50N50P3
IXFQ50N50P3 Komponen elektronik
IXFQ50N50P3 Penjualan
IXFQ50N50P3 Pemasok
IXFQ50N50P3 Distributor
IXFQ50N50P3 Tabel data
IXFQ50N50P3 Foto
IXFQ50N50P3 Harga
IXFQ50N50P3 Menawarkan
IXFQ50N50P3 Harga terendah
IXFQ50N50P3 Mencari
IXFQ50N50P3 Pembelian
IXFQ50N50P3 Kepingan