Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXFP4N100P

IXFP4N100P

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Nomor Bagian
IXFP4N100P
Pabrikan/Merek
Seri
HiPerFET™, PolarP2™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Disipasi Daya (Maks)
150W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
1000V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
26nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1456pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 50937 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXFP4N100P
IXFP4N100P Komponen elektronik
IXFP4N100P Penjualan
IXFP4N100P Pemasok
IXFP4N100P Distributor
IXFP4N100P Tabel data
IXFP4N100P Foto
IXFP4N100P Harga
IXFP4N100P Menawarkan
IXFP4N100P Harga terendah
IXFP4N100P Mencari
IXFP4N100P Pembelian
IXFP4N100P Kepingan