Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXFM35N30

IXFM35N30

POWER MOSFET TO-3
Nomor Bagian
IXFM35N30
Pabrikan/Merek
Seri
HiPerFET™
Status Bagian
Last Time Buy
Kemasan
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-204AE
Paket Perangkat Pemasok
TO-204AE
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
300V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 4mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
200nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
4800pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 54116 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXFM35N30
IXFM35N30 Komponen elektronik
IXFM35N30 Penjualan
IXFM35N30 Pemasok
IXFM35N30 Distributor
IXFM35N30 Tabel data
IXFM35N30 Foto
IXFM35N30 Harga
IXFM35N30 Menawarkan
IXFM35N30 Harga terendah
IXFM35N30 Mencari
IXFM35N30 Pembelian
IXFM35N30 Kepingan