Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXFK360N10T

IXFK360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
Nomor Bagian
IXFK360N10T
Pabrikan/Merek
Seri
GigaMOS™ HiPerFET™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-264-3, TO-264AA
Paket Perangkat Pemasok
TO-264AA (IXFK)
Disipasi Daya (Maks)
1250W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
360A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 3mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
525nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
33000pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 26867 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXFK360N10T
IXFK360N10T Komponen elektronik
IXFK360N10T Penjualan
IXFK360N10T Pemasok
IXFK360N10T Distributor
IXFK360N10T Tabel data
IXFK360N10T Foto
IXFK360N10T Harga
IXFK360N10T Menawarkan
IXFK360N10T Harga terendah
IXFK360N10T Mencari
IXFK360N10T Pembelian
IXFK360N10T Kepingan