Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXFH60N65X2-4

IXFH60N65X2-4

MOSFET N-CH
Nomor Bagian
IXFH60N65X2-4
Pabrikan/Merek
Seri
HiPerFET™
Status Bagian
Active
Kemasan
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-247-4
Paket Perangkat Pemasok
TO-247-4L
Disipasi Daya (Maks)
780W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 4mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
108nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
6300pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 10290 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXFH60N65X2-4
IXFH60N65X2-4 Komponen elektronik
IXFH60N65X2-4 Penjualan
IXFH60N65X2-4 Pemasok
IXFH60N65X2-4 Distributor
IXFH60N65X2-4 Tabel data
IXFH60N65X2-4 Foto
IXFH60N65X2-4 Harga
IXFH60N65X2-4 Menawarkan
IXFH60N65X2-4 Harga terendah
IXFH60N65X2-4 Mencari
IXFH60N65X2-4 Pembelian
IXFH60N65X2-4 Kepingan