Beli IXYS IXFH60N65X2-4 MOSFET N-CH

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IXFH60N65X2-4

MOSFET N-CH

Nomor Bagian

IXFH60N65X2-4

Pabrikan/Merek

IXYS

Seri

HiPerFET™

Status Bagian

Active

Kemasan

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-247-4

Paket Perangkat Pemasok

TO-247-4L

Disipasi Daya (Maks)

780W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

650V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

5V @ 4mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

108nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

6300pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 10290 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

IXFH100N25P

MOSFET N-CH 250V 100A TO-247