Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXFH12N100Q

IXFH12N100Q

MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
Nomor Bagian
IXFH12N100Q
Pabrikan/Merek
Seri
HiPerFET™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-247-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-247AD (IXFH)
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
1000V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.5V @ 4mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
90nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2900pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 41255 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXFH12N100Q
IXFH12N100Q Komponen elektronik
IXFH12N100Q Penjualan
IXFH12N100Q Pemasok
IXFH12N100Q Distributor
IXFH12N100Q Tabel data
IXFH12N100Q Foto
IXFH12N100Q Harga
IXFH12N100Q Menawarkan
IXFH12N100Q Harga terendah
IXFH12N100Q Mencari
IXFH12N100Q Pembelian
IXFH12N100Q Kepingan