Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXFA3N120TRL

IXFA3N120TRL

MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Nomor Bagian
IXFA3N120TRL
Pabrikan/Merek
Seri
HiPerFET™
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
TO-263
Disipasi Daya (Maks)
200W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
1200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 1.5mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
39nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1050pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 42944 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXFA3N120TRL
IXFA3N120TRL Komponen elektronik
IXFA3N120TRL Penjualan
IXFA3N120TRL Pemasok
IXFA3N120TRL Distributor
IXFA3N120TRL Tabel data
IXFA3N120TRL Foto
IXFA3N120TRL Harga
IXFA3N120TRL Menawarkan
IXFA3N120TRL Harga terendah
IXFA3N120TRL Mencari
IXFA3N120TRL Pembelian
IXFA3N120TRL Kepingan