Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXFA180N10T2

IXFA180N10T2

MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
Nomor Bagian
IXFA180N10T2
Pabrikan/Merek
Seri
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (IXFA)
Disipasi Daya (Maks)
480W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
185nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
10500pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 9520 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXFA180N10T2
IXFA180N10T2 Komponen elektronik
IXFA180N10T2 Penjualan
IXFA180N10T2 Pemasok
IXFA180N10T2 Distributor
IXFA180N10T2 Tabel data
IXFA180N10T2 Foto
IXFA180N10T2 Harga
IXFA180N10T2 Menawarkan
IXFA180N10T2 Harga terendah
IXFA180N10T2 Mencari
IXFA180N10T2 Pembelian
IXFA180N10T2 Kepingan