Beli Infineon Technologies IRLR2908PBF MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IRLR2908PBF

MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

Nomor Bagian

IRLR2908PBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Not For New Designs

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

D-Pak

Disipasi Daya (Maks)

120W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

80V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1890pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±16V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 50686 PCS

Kontak informasi