Beli Infineon Technologies IRFSL5620PBF MOSFET N-CH 200V 24A TO262

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IRFSL5620PBF

MOSFET N-CH 200V 24A TO262

Nomor Bagian

IRFSL5620PBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paket Perangkat Pemasok

TO-262

Disipasi Daya (Maks)

144W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

200V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

24A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

77.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

5V @ 100µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

38nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1710pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 49139 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

IRFS11N50A

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK