Beli Infineon Technologies IRF9910TRPBF MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

IRF9910TRPBF

MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

Nomor Bagian

IRF9910TRPBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kekuatan - Maks

Paket Perangkat Pemasok

8-SO

Tipe FET

2 N-Channel (Dual)

Fitur FET

Logic Level Gate

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

10A, 12A

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

9.3 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.55V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

900pF @ 10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 21983 PCS

Kontak informasi