Beli Infineon Technologies IRF8113GTRPBF MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

IRF8113GTRPBF

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC

Nomor Bagian

IRF8113GTRPBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paket Perangkat Pemasok

8-SO

Disipasi Daya (Maks)

2.5W (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

17.2A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

5.6 mOhm @ 17.2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.2V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

36nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2910pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 28018 PCS

Kontak informasi