Beli Infineon Technologies IRF7492TRPBF MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IRF7492TRPBF

MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

Nomor Bagian

IRF7492TRPBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paket Perangkat Pemasok

8-SO

Disipasi Daya (Maks)

2.5W (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

200V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

3.7A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

79 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

59nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1820pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 47136 PCS

Kontak informasi