Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IRF6892STR1PBF

IRF6892STR1PBF

MOSFET N-CH 25V 28A S3
Nomor Bagian
IRF6892STR1PBF
Pabrikan/Merek
Seri
HEXFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
DirectFET™ Isometric S3C
Paket Perangkat Pemasok
DIRECTFET™ S3C
Disipasi Daya (Maks)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
25V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.1V @ 50µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2510pF @ 13V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±16V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 16181 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IRF6892STR1PBF
IRF6892STR1PBF Komponen elektronik
IRF6892STR1PBF Penjualan
IRF6892STR1PBF Pemasok
IRF6892STR1PBF Distributor
IRF6892STR1PBF Tabel data
IRF6892STR1PBF Foto
IRF6892STR1PBF Harga
IRF6892STR1PBF Menawarkan
IRF6892STR1PBF Harga terendah
IRF6892STR1PBF Mencari
IRF6892STR1PBF Pembelian
IRF6892STR1PBF Kepingan