Beli Infineon Technologies IRF6892STR1PBF MOSFET N-CH 25V 28A S3

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

IRF6892STR1PBF

MOSFET N-CH 25V 28A S3

Nomor Bagian

IRF6892STR1PBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

DirectFET™ Isometric S3C

Paket Perangkat Pemasok

DIRECTFET™ S3C

Disipasi Daya (Maks)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

25V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

28A (Ta), 125A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.1V @ 50µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2510pF @ 13V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±16V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 16181 PCS

Kontak informasi