Beli Infineon Technologies IRF6798MTR1PBF MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

IRF6798MTR1PBF

MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX

Nomor Bagian

IRF6798MTR1PBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

DirectFET™ Isometric MX

Paket Perangkat Pemasok

DIRECTFET™ MX

Disipasi Daya (Maks)

2.8W (Ta), 78W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Schottky Diode (Body)

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

25V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

37A (Ta), 197A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1.3 mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.35V @ 150µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

75nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

6560pF @ 13V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 38713 PCS

Kontak informasi