Beli Infineon Technologies IRF6729MTR1PBF MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

IRF6729MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET

Nomor Bagian

IRF6729MTR1PBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

DirectFET™ Isometric MX

Paket Perangkat Pemasok

DIRECTFET™ MX

Disipasi Daya (Maks)

2.8W (Ta), 104W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

31A (Ta), 190A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1.8 mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.35V @ 150µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

63nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

6030pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 12114 PCS

Kontak informasi