Beli Infineon Technologies IRF6709S2TR1PBF MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

IRF6709S2TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

Nomor Bagian

IRF6709S2TR1PBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

DirectFET™ Isometric S1

Paket Perangkat Pemasok

DIRECTFET S1

Disipasi Daya (Maks)

1.8W (Ta), 21W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

25V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

12A (Ta), 39A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

7.8 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.35V @ 25µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1010pF @ 13V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 28404 PCS

Kontak informasi