Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IRF6616TR1PBF

IRF6616TR1PBF

MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
Nomor Bagian
IRF6616TR1PBF
Pabrikan/Merek
Seri
HEXFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
DirectFET™ Isometric MX
Paket Perangkat Pemasok
DIRECTFET™ MX
Disipasi Daya (Maks)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
40V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
19A (Ta), 106A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.25V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
3765pF @ 20V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 53685 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IRF6616TR1PBF
IRF6616TR1PBF Komponen elektronik
IRF6616TR1PBF Penjualan
IRF6616TR1PBF Pemasok
IRF6616TR1PBF Distributor
IRF6616TR1PBF Tabel data
IRF6616TR1PBF Foto
IRF6616TR1PBF Harga
IRF6616TR1PBF Menawarkan
IRF6616TR1PBF Harga terendah
IRF6616TR1PBF Mencari
IRF6616TR1PBF Pembelian
IRF6616TR1PBF Kepingan