Beli Infineon Technologies IRF3205PBF MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IRF3205PBF

MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB

Nomor Bagian

IRF3205PBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-220-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-220AB

Disipasi Daya (Maks)

200W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

55V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

110A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 62A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

146nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3247pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 54660 PCS

Kontak informasi