IPS118N10N G
MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
Nomor Bagian
IPS118N10N G
Pabrikan/Merek
Seri
OptiMOS™
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO251-3
Disipasi Daya (Maks)
125W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
11.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 83µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
65nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
4320pF @ 50V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 13172 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IPS118N10N G
IPS118N10N G Komponen elektronik
IPS118N10N G Penjualan
IPS118N10N G Pemasok
IPS118N10N G Distributor
IPS118N10N G Tabel data
IPS118N10N G Foto
IPS118N10N G Harga
IPS118N10N G Menawarkan
IPS118N10N G Harga terendah
IPS118N10N G Mencari
IPS118N10N G Pembelian
IPS118N10N G Kepingan